Для проверки полупроводниковых приборов при отсутствии специальных измерительных устройств можно воспользоваться миллиамперметром постоянного тока, позволяющим определить обратный ток коллектора 1К0 при нулевом токе эмиттера и коэффициент усиления по току Р-
Схема измерения обратного тока коллектора транзисторов р-п-р-типа показана на рис. 21, а. Для проверки транзисторов п-р-п-типа должна быть изменена полярность батареи GB.
Ток /ко исправных транзисторов малой мощности со-
Рис. 21. Измерение обратного тока (а) и коэффициента усиления (б) транзистора; модели транзисторов (в, г)
ставляет единицы или десятки микроампер, а транзисторов средней мощности — не более единиц миллиампер» В соответствии с этим выбирают предел измерения прибора РА.
Коэффициент усиления транзисторов р-п-р-типа по постоянному току р можно определить по схеме, показанной на рис. 21, б. Для транзисторов п-р-п-типа полярность батареи GB следует изменить на обратную.
Коэффициент усиления р транзисторов малой мощности измеряется при /к от 1 до 10 мА, а средней и большой мощности — при /к от 100 до 1000 мА. В соответствии с этим выбирают предел измерения используемого прибора.
При токе /ко, не выходящем за пределы допуска, указанного в паспорте, проверяемый транзистор считают исправным, а при токе /ко> (2-ьЗ) /кодоп или его увеличении со временем — неисправным.
Неисправными обычно считают транзисторы при <5-8. Однако отбирают транзисторы не по максимальному значению р, а по значению, равному или близкому указанному в документации на схему, в которой они должны работать. Для некоторых схем требуется, чтобы отдельные пары транзисторов имели одинаковые значения р. Следует также помнить, что применение транзистора, р которого значительно превосходит рекомендованное для данной схемы, может потребовать изменения некоторых ее параметров.
Транзисторы можно проверять также омметром, измеряя сопротивление постоянному току их коллекторного и эмиттерного переходов в прямом и обратном направлениях. Сопротивление эмиттерного перехода измеряют между выводами эмиттера и базы, а коллекторного — между выводами базы и коллектора. Не рекомендуется измерять сопротивление между выводами эмиттера и коллектора при разомкнутой цепи базы, так как это может привести к отказу транзистора.
Сопротивление перехода исправного транзистора в прямом направлении должно составлять десятки ом, а в обратном — десятки и сотни килоом. Если сопротивления хотя бы одного перехода в обоих направлениях одинаковы или отличаются незначительно, то это говорит о неисправности транзистора. Такая проверка исправности транзисторов п-р~п и р-п-р-типов основана на представлении их моделями в виде двух встречно соединенных диодов (рис. 21, в, г).
