Триоды (транзисторы)
Если к р—/г структуре добавить область с дырочной или электронной проводимостью, то образуется транзисторная р—п—р или п—р—п структура (рис. 9.4, а) с двумя переходами, обладающая усилительными свойствами. Средняя область транзисторной структуры (база) делается очень тонкой. К одному из переходов (эмиттерному) напряжение приложено в прямом направлении, к другому переходу (коллекторному) в обратном. Носители заряда, попадающие в базу из эмиттерного перехода, достигают и коллекторного перехода. За счет этого ток в цепи коллектора увеличивается. Величиной этой составляющей тока можно управлять, изменяя напряжение на эмиттерном переходе. При этом мощность, выделяющаяся в выходной цепи, значительно превышает мощность, потребляемую на входе. Происходит усиление по мощности.
Рнс. 9.5
В зависимости от способа получения и геометрии перехода различают триоды с точечным и плоскостным переходами- Полупроводниковый триод имеет три вывода: эмиттер Э, коллектор К и базу Б, или основание (9.4, б), и может быть включен в цепь
по одной из трех схем (рис. 9.5, я, б и в), т. е. по схеме, когда заземлено или основание, или эмиттер, или коллектор, или, как говорят, по схеме с общим основанием, эмиттером и коллектором. Основной характеристикой триода является его вольт-амперная характеристика. Чаще всего используются два семейства вольт- амперных характеристик триодов — входные и выходные.
Рис. 9.6
Входные характеристики дают зависимость входного тока (базы или эмиттера) от напряжения между базой и эмиттером при фиксированных значениях напряжения на коллекторе (рис. а), определяют также зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе при фиксированных значениях тока базы или эмиттера (в зависимости от способа включения транзистора). Выходные характеристики (рис. 9.6,6) имеют вид, аналогичный характеристикам диодов в прямом направлении — ток резко- экспоненциально возрастает с увеличением напряжения. В табл. 9.3 приведены некоторые типы германиевых триодов.
Транзисторы, приведенные в табл. 9.3, предназначены для работы в радиотехнической аппаратуре, в схемах усиления низкой частоты. Они конструктивно оформлены в металлическом герметическом корпусе со стеклянными изоляторами и имеют гибкие выводы.
В табл. 9.4 приведены некоторые типы кремниевых транзисторов, предназначенных для работы в радиотехнических и электронных устройствах в режимах усиления мощности низкой частоты при повышенных температурах. Транзисторы конструктивно оформлены в металлическом герметическом корпусе, защищенном противокоррозийным покрытием со стеклянными изоляторами, с жесткими выводами, легко смачиваемыми припоем. Вес транзистора не более 9 г.
Табл. 9.3. Триоды германиевые (транзисторы)
